Ellipsometry and microscopy study of nanocrystalline Si:H layers formed by high dose implantation of silicon: Fid-Bau Portal

Ellipsometry and microscopy study of nanocrystalline Si:H layers formed by high dose implantation of silicon

Popov, V. P. / Antonova, I. V. / Gutakovsky, A. K. / Spesivtsev, E. V. / Morosov, I. I.

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Titel:

Ellipsometry and microscopy study of nanocrystalline Si:H layers formed by high dose implantation of silicon

Beteiligte:

Popov, V. P. (Autor:in) / Antonova, I. V. (Autor:in) / Gutakovsky, A. K. (Autor:in) / Spesivtsev, E. V. (Autor:in) / Morosov, I. I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 73 ; 120 - 123

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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