First principles calculations of hydrogen annealed amorphous SiO2 structures and Si/SiO2 interface for non volatile memories: Fid-Bau Portal

First principles calculations of hydrogen annealed amorphous SiO2 structures and Si/SiO2 interface for non volatile memories

Courtot-Descharles, A. / Paillet, P. / Leray, J. L. / Musseau, O.

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Titel:

First principles calculations of hydrogen annealed amorphous SiO2 structures and Si/SiO2 interface for non volatile memories

Beteiligte:

Courtot-Descharles, A. (Autor:in) / Paillet, P. (Autor:in) / Leray, J. L. (Autor:in) / Musseau, O. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 3 ; 143-148

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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