Large Contact Ti/4H-SiC Schottky Diodes Fabricated Using Standard Silicon Processing Techniques: Fid-Bau Portal

Large Contact Ti/4H-SiC Schottky Diodes Fabricated Using Standard Silicon Processing Techniques

Sudre, C. / Mooney, M. / Leveugle, C. / O'Brien, J. / Lane, W. A.

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Titel:

Large Contact Ti/4H-SiC Schottky Diodes Fabricated Using Standard Silicon Processing Techniques

Beteiligte:

Sudre, C. (Autor:in) / Mooney, M. (Autor:in) / Leveugle, C. (Autor:in) / O'Brien, J. (Autor:in) / Lane, W. A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1191-1194

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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