Influence of Post-Oxidation Annealing on Electrical Characteristics in 6H-SiC MOSFETs: Fid-Bau Portal

Influence of Post-Oxidation Annealing on Electrical Characteristics in 6H-SiC MOSFETs

Ohshima, T. / Yoshikawa, M. / Itoh, H. / Kojima, K. / Okada, S. / Nashiyama, I.

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Titel:

Influence of Post-Oxidation Annealing on Electrical Characteristics in 6H-SiC MOSFETs

Beteiligte:

Ohshima, T. (Autor:in) / Yoshikawa, M. (Autor:in) / Itoh, H. (Autor:in) / Kojima, K. (Autor:in) / Okada, S. (Autor:in) / Nashiyama, I. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1299-1302

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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