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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Fabrication of Double Implanted (0001) 4H-SiC MOSFETs by using Pyrogenic Re-Oxidation Annealing

    Beteiligte:

    Kosugi, R. (Autor:in) / Kiritani, N. (Autor:in) / Suzuki, K. (Autor:in) / Yatsuo, T. (Autor:in) / Adachi, K. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 457/460 ; 1397-1400

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2004

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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