Simulation and Fabrication of High-Voltage 4H-SiC Diodes with Multiple Floating Guard Ring Termination: Fid-Bau Portal

Simulation and Fabrication of High-Voltage 4H-SiC Diodes with Multiple Floating Guard Ring Termination

Sheridan, D. C. / Niu, G. / Merrett, J. N. / Cressler, J. D. / Ellis, C. / Tin, C. C. / Siergiej, R. R.

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Titel:

Simulation and Fabrication of High-Voltage 4H-SiC Diodes with Multiple Floating Guard Ring Termination

Beteiligte:

Sheridan, D. C. (Autor:in) / Niu, G. (Autor:in) / Merrett, J. N. (Autor:in) / Cressler, J. D. (Autor:in) / Ellis, C. (Autor:in) / Tin, C. C. (Autor:in) / Siergiej, R. R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1339-1342

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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