Initial Results on Thick 4H-SiC Epitaxial Layers Grown Using Vapor Phase Epitaxy: Fid-Bau Portal

Initial Results on Thick 4H-SiC Epitaxial Layers Grown Using Vapor Phase Epitaxy

Rowland, L. B. / Dunne, G. T. / Freitas, J. A.

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Titel:

Initial Results on Thick 4H-SiC Epitaxial Layers Grown Using Vapor Phase Epitaxy

Beteiligte:

Rowland, L. B. (Autor:in) / Dunne, G. T. (Autor:in) / Freitas, J. A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 161-164

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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