The post-annealing temperature dependences of electrical properties and surface morphologies for arsenic ion-implanted 4H-SiC at high temperature: Fid-Bau Portal

The post-annealing temperature dependences of electrical properties and surface morphologies for arsenic ion-implanted 4H-SiC at high temperature

Senzaki, J. / Fukuda, K. / Imai, S. / Tanaka, Y. / Kobayashi, N. / Tanoue, H. / Okushi, H. / Arai, K.

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Senzaki, J. / Fukuda, K. / Imai, S. / Tanaka, Y. / Kobayashi, N. / Tanoue, H. / Okushi, H. / Arai, K.

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Titel:

The post-annealing temperature dependences of electrical properties and surface morphologies for arsenic ion-implanted 4H-SiC at high temperature

Beteiligte:

Senzaki, J. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Imai, S. (Autor:in) / Tanaka, Y. (Autor:in) / Kobayashi, N. (Autor:in) / Tanoue, H. (Autor:in) / Okushi, H. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 159-160 ; 544-549

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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