Implant temperature dependence of transient-enhanced diffusion in silicon (100) implanted with low-energy arsenic ions: Fid-Bau Portal

Implant temperature dependence of transient-enhanced diffusion in silicon (100) implanted with low-energy arsenic ions

Whelan, S. / Armour, D. G. / Van den Berg, J. A. / Goldberg, R. D. / Zhang, S. / Bailey, P. / Noakes, T. C.

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Titel:

Implant temperature dependence of transient-enhanced diffusion in silicon (100) implanted with low-energy arsenic ions

Beteiligte:

Whelan, S. (Autor:in) / Armour, D. G. (Autor:in) / Van den Berg, J. A. (Autor:in) / Goldberg, R. D. (Autor:in) / Zhang, S. (Autor:in) / Bailey, P. (Autor:in) / Noakes, T. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 3 ; 285-290

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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