Crystal Defects as Source of Anomalous Forward Voltage Increase of 4H-SiC Diodes: Fid-Bau Portal

Crystal Defects as Source of Anomalous Forward Voltage Increase of 4H-SiC Diodes

Bergman, J. P. / Lendenmann, H. / Nilsson, P. A. / Lindefelt, U. / Skytt, P.

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Titel:

Crystal Defects as Source of Anomalous Forward Voltage Increase of 4H-SiC Diodes

Beteiligte:

Bergman, J. P. (Autor:in) / Lendenmann, H. (Autor:in) / Nilsson, P. A. (Autor:in) / Lindefelt, U. (Autor:in) / Skytt, P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 353/356 ; 299-302

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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