High Electrical Activation of Aluminium and Nitrogen Implanted in 6H-SiC at Room Temperature by RF Annealing: Fid-Bau Portal

High Electrical Activation of Aluminium and Nitrogen Implanted in 6H-SiC at Room Temperature by RF Annealing

Lazar, M. / Ottaviani, L. / Locatelli, M. L. / Raynaud, C. / Planson, D. / Morvan, E. / Godignon, P. / Skorupa, W. / Chante, J. P.

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Lazar, M. / Ottaviani, L. / Locatelli, M. L. / Raynaud, C. / Planson, D. / Morvan, E. / Godignon, P. / Skorupa, W. / Chante, J. P.

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Titel:

High Electrical Activation of Aluminium and Nitrogen Implanted in 6H-SiC at Room Temperature by RF Annealing

Beteiligte:

Lazar, M. (Autor:in) / Ottaviani, L. (Autor:in) / Locatelli, M. L. (Autor:in) / Raynaud, C. (Autor:in) / Planson, D. (Autor:in) / Morvan, E. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Skorupa, W. (Autor:in) / Chante, J. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 353/356 ; 571-574

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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