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    Titel:

    Inductively coupled plasma - plasma enhanced chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of InP based high electron mobility transistors (HEMTs)

    Beteiligte:

    Medjdoub, M. (Autor:in) / Courant, J. L. (Autor:in) / Maher, H. (Autor:in) / Post, G. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 80 ; 252 - 256

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2001

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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