Quantum confinement effects in Si quantum well and dot structures fabricated from ultrathin silicon-on-insulator wafers: Fid-Bau Portal

Quantum confinement effects in Si quantum well and dot structures fabricated from ultrathin silicon-on-insulator wafers

Tabe, M. / Kumezawa, M. / Ishikawa, Y. / Mizuno, T.

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Titel:

Quantum confinement effects in Si quantum well and dot structures fabricated from ultrathin silicon-on-insulator wafers

Beteiligte:

Tabe, M. (Autor:in) / Kumezawa, M. (Autor:in) / Ishikawa, Y. (Autor:in) / Mizuno, T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 175-176 ; 613-618

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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