Modeling electromigration and the void nucleation in thin-film interconnects of integrated circuits: Fid-Bau Portal

Modeling electromigration and the void nucleation in thin-film interconnects of integrated circuits

Goldstein, R. V. / Sarychev, M. E. / Shirabaikin, D. B. / Vladimirov, A. S. / Zhitnikov, Y. V.

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Titel:

Modeling electromigration and the void nucleation in thin-film interconnects of integrated circuits

Beteiligte:

Goldstein, R. V. (Autor:in) / Sarychev, M. E. (Autor:in) / Shirabaikin, D. B. (Autor:in) / Vladimirov, A. S. (Autor:in) / Zhitnikov, Y. V. (Autor:in)

Erschienen in:

INTERNATIONAL JOURNAL OF FRACTURE ; 109 ; 91-121

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

31 pages

ISSN:

0376-9429

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1126

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