Deep levels reduction in (NH4)2S treated and annealed GaAs epilayer on Si substrate: Fid-Bau Portal

Deep levels reduction in (NH4)2S treated and annealed GaAs epilayer on Si substrate

Saravanan, S. / Soga, T. / Jimbo, T. / Umeno, M.

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Titel:

Deep levels reduction in (NH4)2S treated and annealed GaAs epilayer on Si substrate

Beteiligte:

Saravanan, S. (Autor:in) / Soga, T. (Autor:in) / Jimbo, T. (Autor:in) / Umeno, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 84 ; 195 - 199

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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