Oxidation behaviour of Cu thin films on Si wafer at 175-400degreeC: Fid-Bau Portal

Oxidation behaviour of Cu thin films on Si wafer at 175-400degreeC

Gao, W. / Gong, H. / He, J. / Thomas, A. / Chan, L. / Li, S.

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Titel:

Oxidation behaviour of Cu thin films on Si wafer at 175-400degreeC

Beteiligte:

Gao, W. (Autor:in) / Gong, H. (Autor:in) / He, J. (Autor:in) / Thomas, A. (Autor:in) / Chan, L. (Autor:in) / Li, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 51 ; 78-84

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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