Nitrogen passivation by implantation-induced point defects in 4H-SiC epitaxial layers: Fid-Bau Portal

Nitrogen passivation by implantation-induced point defects in 4H-SiC epitaxial layers

Aberg, D. / Hallen, A. / Pellegrino, P. / Svensson, B. G.

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Titel:

Nitrogen passivation by implantation-induced point defects in 4H-SiC epitaxial layers

Beteiligte:

Aberg, D. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Pellegrino, P. (Autor:in) / Svensson, B. G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 184 ; 263-267

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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