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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Study of Defects Generated by Standard- and Plasma-Implantation of Nitrogen Atoms in 4H-SiC Epitaxial Layers

    Beteiligte:

    Ottaviani, L. (Autor:in) / Kazan, M. (Autor:in) / Biondo, S. (Autor:in) / Tuomisto, F. (Autor:in) / Milesi, F. (Autor:in) / Duchaine, J. (Autor:in) / Torregrosa, F. (Autor:in) / Palais, O. (Autor:in) / Yamada-Kaneta, H. / Sakai, A.

    Erschienen in:

    Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors XIV ; 41-44

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 725

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2012

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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