Complementary study of defects in GaN by photo-etching and TEM: Fid-Bau Portal

Complementary study of defects in GaN by photo-etching and TEM

Weyher, J. L. / Macht, L. / Tichelaar, F. D. / Zandbergen, H. W. / Hageman, P. R. / Larsen, P. K.

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Titel:

Complementary study of defects in GaN by photo-etching and TEM

Beteiligte:

Weyher, J. L. (Autor:in) / Macht, L. (Autor:in) / Tichelaar, F. D. (Autor:in) / Zandbergen, H. W. (Autor:in) / Hageman, P. R. (Autor:in) / Larsen, P. K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 91-92 ; 280 - 284

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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