High-frequency performance of metamorphic InP/In0.53Ga0.47As/InP DHBT in common base configuration on GaAs substrates: Fid-Bau Portal

High-frequency performance of metamorphic InP/In0.53Ga0.47As/InP DHBT in common base configuration on GaAs substrates

Xiong, Y. Z. / Fu, J. S. / Wang, H. / Ng, G. I. / Radhakrishnan, K.

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Titel:

High-frequency performance of metamorphic InP/In0.53Ga0.47As/InP DHBT in common base configuration on GaAs substrates

Beteiligte:

Xiong, Y. Z. (Autor:in) / Fu, J. S. (Autor:in) / Wang, H. (Autor:in) / Ng, G. I. (Autor:in) / Radhakrishnan, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 4 ; 647-649

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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