Ion-Implantation Induced Deep Levels in SiC Studied by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy (ICTS): Fid-Bau Portal

Ion-Implantation Induced Deep Levels in SiC Studied by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy (ICTS)

Ono, R. / Fujimaki, M. / Senzaki, J. / Tanimoto, S. / Shinohe, T. / Okushi, H. / Arai, K.

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Titel:

Ion-Implantation Induced Deep Levels in SiC Studied by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy (ICTS)

Beteiligte:

Ono, R. (Autor:in) / Fujimaki, M. (Autor:in) / Senzaki, J. (Autor:in) / Tanimoto, S. (Autor:in) / Shinohe, T. (Autor:in) / Okushi, H. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 847-850

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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