Observation of Deep Levels in SiC by Optical-Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy: Fid-Bau Portal

Observation of Deep Levels in SiC by Optical-Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy

Kobayashi, S. / Imai, S. / Hayami, Y. / Kushibe, M. / Shinohe, T. / Okushi, H.

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Titel:

Observation of Deep Levels in SiC by Optical-Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy

Beteiligte:

Kobayashi, S. (Autor:in) / Imai, S. (Autor:in) / Hayami, Y. (Autor:in) / Kushibe, M. (Autor:in) / Shinohe, T. (Autor:in) / Okushi, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 757-760

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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