Characterization of 4H-SiC MOSFETs with NO-Annealed CVD Oxide: Fid-Bau Portal

Characterization of 4H-SiC MOSFETs with NO-Annealed CVD Oxide

Yano, H. / Hatayama, T. / Uraoka, Y. / Fuyuki, T.

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Titel:

Characterization of 4H-SiC MOSFETs with NO-Annealed CVD Oxide

Beteiligte:

Yano, H. (Autor:in) / Hatayama, T. (Autor:in) / Uraoka, Y. (Autor:in) / Fuyuki, T. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 971-974

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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