Influence of the Crystalline Quality of Epitaxial Layers on Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs: Fid-Bau Portal

Influence of the Crystalline Quality of Epitaxial Layers on Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs

Kojima, K. / Ohno, T. / Suzuki, S. / Senzaki, J. / Harada, S. / Fukuda, K. / Kushibe, M. / Masahara, K. / Ishida, Y. / Takahashi, T.

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Titel:

Influence of the Crystalline Quality of Epitaxial Layers on Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs

Beteiligte:

Kojima, K. (Autor:in) / Ohno, T. (Autor:in) / Suzuki, S. (Autor:in) / Senzaki, J. (Autor:in) / Harada, S. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Kushibe, M. (Autor:in) / Masahara, K. (Autor:in) / Ishida, Y. (Autor:in) / Takahashi, T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1053-1056

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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