Analysis of High Leakage Currents in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Using Optical Beam-Induced Current Measurements: Fid-Bau Portal

Analysis of High Leakage Currents in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Using Optical Beam-Induced Current Measurements

Tsuji, T. / Izumi, S. / Ueda, A. / Fujisawa, H. / Ueno, K. / Tsuchida, H. / Kamata, I. / Jikimoto, T. / Izumi, K.

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Titel:

Analysis of High Leakage Currents in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes Using Optical Beam-Induced Current Measurements

Beteiligte:

Tsuji, T. (Autor:in) / Izumi, S. (Autor:in) / Ueda, A. (Autor:in) / Fujisawa, H. (Autor:in) / Ueno, K. (Autor:in) / Tsuchida, H. (Autor:in) / Kamata, I. (Autor:in) / Jikimoto, T. (Autor:in) / Izumi, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1141-1144

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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