Influence of Gate Finger Width on RF Characteristics of 4H-SiC MESFET: Fid-Bau Portal

Influence of Gate Finger Width on RF Characteristics of 4H-SiC MESFET

Arai, M. / Honda, H. / Ogata, M. / Sawazaki, H. / Ono, S.

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Titel:

Influence of Gate Finger Width on RF Characteristics of 4H-SiC MESFET

Beteiligte:

Arai, M. (Autor:in) / Honda, H. (Autor:in) / Ogata, M. (Autor:in) / Sawazaki, H. (Autor:in) / Ono, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1379-1382

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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