Growth of 3C-SiC on Si(100) by LPCVD and Patterning of the Grown Layers: Fid-Bau Portal

Growth of 3C-SiC on Si(100) by LPCVD and Patterning of the Grown Layers

Bakin, A. / Behrens, I. / Ivanov, A. / Peiner, E. / Piester, D. / Wehmann, H.-H. / Schlachetzki, A.

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Titel:

Growth of 3C-SiC on Si(100) by LPCVD and Patterning of the Grown Layers

Beteiligte:

Bakin, A. (Autor:in) / Behrens, I. (Autor:in) / Ivanov, A. (Autor:in) / Peiner, E. (Autor:in) / Piester, D. (Autor:in) / Wehmann, H.-H. (Autor:in) / Schlachetzki, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 327-330

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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