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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Electron traps created in n-type GaN during 25 keV hydrogen implantation

    Beteiligte:

    Auret, F. D. (Autor:in) / Meyer, W. E. (Autor:in) / Goodman, S. A. (Autor:in) / Hayes, M. (Autor:in) / Legodi, M. J. (Autor:in) / Beaumont, B. (Autor:in) / Gibart, P. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 93 ; 6 - 9

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2002

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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