The role of multiple damaged layers at the Si/SiO2 interface on the dielectric breakdown of MOS capacitors: Fid-Bau Portal

The role of multiple damaged layers at the Si/SiO2 interface on the dielectric breakdown of MOS capacitors

Sombra, S. S. / Costa, U. M. / Freire, V. N. / de Vasconcelos, E. A. / da Silva Jr, E. F.

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Titel:

The role of multiple damaged layers at the Si/SiO2 interface on the dielectric breakdown of MOS capacitors

Beteiligte:

Sombra, S. S. (Autor:in) / Costa, U. M. (Autor:in) / Freire, V. N. (Autor:in) / de Vasconcelos, E. A. (Autor:in) / da Silva Jr, E. F. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 190 ; 35-38

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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