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    Titel:

    Oxygen-related defects and their annealing behavior in low-dose Separation-by-IMplanted OXygen (SIMOX) wafers studied by slow positron beams

    Beteiligte:

    Chen, Z. Q. (Autor:in) / Uedono, A. (Autor:in) / Ogura, A. (Autor:in) / Ono, H. (Autor:in) / Suzuki, R. (Autor:in) / Ohdaira, T. (Autor:in) / Mikado, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 194 ; 112-115

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2002

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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