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    Titel:

    Defect study on ion-implanted Si by coincidence Doppler broadening measurements

    Beteiligte:

    Akahane, T. (Autor:in) / Fujinami, M. (Autor:in) / Sawada, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 194 ; 116-121

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2002

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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