Investigation of dislocations and defects in epitaxial lateral overgrown GaN by photoelectrochemical wet etching: Fid-Bau Portal

Investigation of dislocations and defects in epitaxial lateral overgrown GaN by photoelectrochemical wet etching

Wang, F. / Zhang, R. / Xiu, X. Q. / Chen, K. L. / Gu, S. L. / Shen, B. / Zheng, Y. D. / Kuech, T. F.

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Titel:

Investigation of dislocations and defects in epitaxial lateral overgrown GaN by photoelectrochemical wet etching

Beteiligte:

Wang, F. (Autor:in) / Zhang, R. (Autor:in) / Xiu, X. Q. (Autor:in) / Chen, K. L. (Autor:in) / Gu, S. L. (Autor:in) / Shen, B. (Autor:in) / Zheng, Y. D. (Autor:in) / Kuech, T. F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 57 ; 1365-1368

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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