Investigation of In-Grown Dislocations in 4H-SiC Epitaxial Layers: Fid-Bau Portal

Investigation of In-Grown Dislocations in 4H-SiC Epitaxial Layers

Kojima, K. / Kato, T. / Kuroda, S. / Okumura, H. / Arai, K.

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Titel:

Investigation of In-Grown Dislocations in 4H-SiC Epitaxial Layers

Beteiligte:

Kojima, K. (Autor:in) / Kato, T. (Autor:in) / Kuroda, S. (Autor:in) / Okumura, H. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in) / Devaty, R. P. / Larkin, D. J. / Saddow, S. E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 147-152

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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