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    Titel:

    Effect of surface treatment of Si substrates and annealing condition on high-k rare earth oxide gate dielectrics

    Beteiligte:

    Ohshima, C. (Autor:in) / Taguchi, J. (Autor:in) / Kashiwagi, I. (Autor:in) / Yamamoto, H. (Autor:in) / Ohmi, S. (Autor:in) / Iwai, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 216 ; 302-306

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2003

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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