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    Titel:

    Effect of post-deposition annealing on structural and electrical properties of high-k HoTiO3 gate dielectrics

    Beteiligte:

    Pan, T. M. (Autor:in) / Yen, L. C. (Autor:in) / Su, S. H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 256 ; 1534-1537

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2009

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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