Formation and characteristics of 100-nm scale GaAs quantum wires by selective area MOVPE: Fid-Bau Portal

Formation and characteristics of 100-nm scale GaAs quantum wires by selective area MOVPE

Takahashi, H. / Miyoshi, Y. / Nakajima, F. / Mohan, P. / Motohisa, J. / Fukui, T.

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Titel:

Formation and characteristics of 100-nm scale GaAs quantum wires by selective area MOVPE

Beteiligte:

Takahashi, H. (Autor:in) / Miyoshi, Y. (Autor:in) / Nakajima, F. (Autor:in) / Mohan, P. (Autor:in) / Motohisa, J. (Autor:in) / Fukui, T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 216 ; 402-406

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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