Epitaxial growth of 4H-SiC(0338) and control of MOS interface: Fid-Bau Portal

Epitaxial growth of 4H-SiC(0338) and control of MOS interface

Kimoto, T. / Hirao, T. / Fujihira, K. / Kosugi, H. / Danno, K. / Matsunami, H.

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Titel:

Epitaxial growth of 4H-SiC(0338) and control of MOS interface

Beteiligte:

Kimoto, T. (Autor:in) / Hirao, T. (Autor:in) / Fujihira, K. (Autor:in) / Kosugi, H. (Autor:in) / Danno, K. (Autor:in) / Matsunami, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 216 ; 497-501

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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