Growth of GaN on ZrB2 substrate by metal-organic vapor phase epitaxy: Fid-Bau Portal

Growth of GaN on ZrB2 substrate by metal-organic vapor phase epitaxy

Tomida, Y. / Nitta, S. / Kamiyama, S. / Amano, H. / Akasaki, I. / Otani, S. / Kinoshita, H. / Liu, R. / Bell, A. / Ponce, F. A.

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Titel:

Growth of GaN on ZrB2 substrate by metal-organic vapor phase epitaxy

Beteiligte:

Tomida, Y. (Autor:in) / Nitta, S. (Autor:in) / Kamiyama, S. (Autor:in) / Amano, H. (Autor:in) / Akasaki, I. (Autor:in) / Otani, S. (Autor:in) / Kinoshita, H. (Autor:in) / Liu, R. (Autor:in) / Bell, A. (Autor:in) / Ponce, F. A. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 216 ; 502-507

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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