Influence of carrier and doping gases on the chemical vapor deposition of silicon quantum dots: Fid-Bau Portal

Influence of carrier and doping gases on the chemical vapor deposition of silicon quantum dots

Mazen, F. / Baron, T. / Bremond, G. / Hartmann, J. M. / Semeria, M. N.

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Titel:

Influence of carrier and doping gases on the chemical vapor deposition of silicon quantum dots

Beteiligte:

Mazen, F. (Autor:in) / Baron, T. (Autor:in) / Bremond, G. (Autor:in) / Hartmann, J. M. (Autor:in) / Semeria, M. N. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 101 ; 164-168

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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