Low pressure chemical vapor deposition growth of silicon quantum dots on insulator for nanoelectronics devices: Fid-Bau Portal

Low pressure chemical vapor deposition growth of silicon quantum dots on insulator for nanoelectronics devices

Baron, T. / Martin, F. / Mur, P. / Wyon, C. / Dupuy, M. / Busseret, C. / Souifi, A. / Guillot, G.

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Titel:

Low pressure chemical vapor deposition growth of silicon quantum dots on insulator for nanoelectronics devices

Beteiligte:

Baron, T. (Autor:in) / Martin, F. (Autor:in) / Mur, P. (Autor:in) / Wyon, C. (Autor:in) / Dupuy, M. (Autor:in) / Busseret, C. (Autor:in) / Souifi, A. (Autor:in) / Guillot, G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 164 ; 29-34

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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