Growth of High Quality p-Type 4H-SiC Substrates by HTCVD: Fid-Bau Portal

Growth of High Quality p-Type 4H-SiC Substrates by HTCVD

Sundqvist, B. / Ellison, A. / Jonsson, A. / Henry, A. / Hallin, C. / Bergman, J. P. / Magnusson, B. / Janzen, E.

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Titel:

Growth of High Quality p-Type 4H-SiC Substrates by HTCVD

Beteiligte:

Sundqvist, B. (Autor:in) / Ellison, A. (Autor:in) / Jonsson, A. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Hallin, C. (Autor:in) / Bergman, J. P. (Autor:in) / Magnusson, B. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 21-24

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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