Hetero-Epitaxial Growth of 3C-SiC on Carbonized Silicon Substrates: Fid-Bau Portal

Hetero-Epitaxial Growth of 3C-SiC on Carbonized Silicon Substrates

Shimizu, H. / Hisada, K.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Hetero-Epitaxial Growth of 3C-SiC on Carbonized Silicon Substrates

Shimizu, H. / Hisada, K.

Hetero-Epitaxial Growth of 3C-SiC on Carbonized Silicon Substrates

Shimizu, H. / Hisada, K.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

Hetero-Epitaxial Growth of 3C-SiC on Carbonized Silicon Substrates

Beteiligte:

Shimizu, H. (Autor:in) / Hisada, K. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 229-232

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Shimizu, H. / Hisada, K. / Aoyama, Y. | British Library Online Contents | 2005

Hetero-Epitaxial Growth of 3C-SiC on Silicon Substrates by Plasma Assisted CVD

Shimizu, H. / Aoyama, Y. | British Library Online Contents | 2006

Evaluation of Carbonized Layers for 3C-SiC/Si Epitaxial Growth by Ellipsometry

Shimizu, H. / Ohba, T. / Hisada, K. | British Library Online Contents | 2002

Stress Evaluation on Hetero-Epitaxial 3C-SiC Films on (100) Si Substrates

Anzalone, R. / Camarda, M. / Locke, C. et al. | British Library Online Contents | 2012

MANUFACTURING METHOD OF CONDUCTIVE CARBONIZED SILICON SINTERED BODY AND CONDUCTIVE CARBONIZED SILICON SINTERED BODY

YAMADA TOMOYUKI / SEIKI SUSUMU | Europäisches Patentamt | 2019

Freier Zugriff

Nach oben