Investigation of Defects in 4H-SiC by Synchrotron Topography, Raman Spectroscopy Imaging and Photoluminescence Spectroscopy Imaging: Fid-Bau Portal

Investigation of Defects in 4H-SiC by Synchrotron Topography, Raman Spectroscopy Imaging and Photoluminescence Spectroscopy Imaging

Pernot, E. / El Harrouni, I. / Mermoux, M. / Bluet, J. M. / Anikin, M. / Chaussende, D. / Pons, M. / Madar, R.

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Titel:

Investigation of Defects in 4H-SiC by Synchrotron Topography, Raman Spectroscopy Imaging and Photoluminescence Spectroscopy Imaging

Beteiligte:

Pernot, E. (Autor:in) / El Harrouni, I. (Autor:in) / Mermoux, M. (Autor:in) / Bluet, J. M. (Autor:in) / Anikin, M. (Autor:in) / Chaussende, D. (Autor:in) / Pons, M. (Autor:in) / Madar, R. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 265-268

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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