Investigation of Intrinsic Carbon-Related Defects in 4H-SiC by Selective-Excitation Photoluminescence Spectroscopy: Fid-Bau Portal

Investigation of Intrinsic Carbon-Related Defects in 4H-SiC by Selective-Excitation Photoluminescence Spectroscopy

Ivanov, I.G. / Gallstrom, A. / Coble, R. / Devaty, R.P. / Choyke, W.J. / Janzen, E.

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Titel:

Investigation of Intrinsic Carbon-Related Defects in 4H-SiC by Selective-Excitation Photoluminescence Spectroscopy

Beteiligte:

Ivanov, I.G. (Autor:in) / Gallstrom, A. (Autor:in) / Coble, R. (Autor:in) / Devaty, R.P. (Autor:in) / Choyke, W.J. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 259-262

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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