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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Optimum Design of a SiC Schottky Barrier Diode Considering Reverse Leakage Current due to a Tunneling Process

    Beteiligte:

    Hatakeyama, T. (Autor:in) / Kushibe, M. (Autor:in) / Watanabe, T. (Autor:in) / Imai, S. (Autor:in) / Shinohe, T. (Autor:in) / Bergman, P. / Janzen, E.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2002 ; 831-834

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 433/436

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2003

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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