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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Surface Morphology of Leakage Current Sources of 4H-SiC Schottky Barrier Diode by Atomic Force Microscopy

    Beteiligte:

    Katsuno, T. (Autor:in) / Watanabe, Y. (Autor:in) / Ishikawa, T. (Autor:in) / Fujiwara, H. (Autor:in) / Konishi, M. (Autor:in) / Morino, T. (Autor:in) / Endo, T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 375-378

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2012

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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