Interfacial composition and electrical properties of PtSi/Si1-xGex/Si diodes by molecular beam epitaxy (MBE) and pulsed laser deposition (PLD): Fid-Bau Portal

Interfacial composition and electrical properties of PtSi/Si1-xGex/Si diodes by molecular beam epitaxy (MBE) and pulsed laser deposition (PLD)

Li, M. c. / Zhao, L. c. / Chen, X. k.

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Titel:

Interfacial composition and electrical properties of PtSi/Si1-xGex/Si diodes by molecular beam epitaxy (MBE) and pulsed laser deposition (PLD)

Beteiligte:

Li, M. c. (Autor:in) / Zhao, L. c. (Autor:in) / Chen, X. k. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 219 ; 249-255

Erscheinungsdatum:

01.01.2003

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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