Characteristics of thin film transistors fabricated employing various sequential lateral solidification poly-Si microstructures: Fid-Bau Portal

Characteristics of thin film transistors fabricated employing various sequential lateral solidification poly-Si microstructures

Park, J.-Y. / Park, H.-H. / Lee, K.-Y. / Chung, H.-K.

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Titel:

Characteristics of thin film transistors fabricated employing various sequential lateral solidification poly-Si microstructures

Beteiligte:

Park, J.-Y. (Autor:in) / Park, H.-H. (Autor:in) / Lee, K.-Y. (Autor:in) / Chung, H.-K. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH THEN WARRENDALE- ; 19 ; 481-487

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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