High-quality ultrathin chemical-vapor-deposited Ta2O5 capacitors prepared by high-density plasma annealing: Fid-Bau Portal

High-quality ultrathin chemical-vapor-deposited Ta2O5 capacitors prepared by high-density plasma annealing

Liu, C. H. / Chang, S. J. / Chen, J. F. / Chen, S. C. / Lee, J. S. / Liaw, U. H.

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Titel:

High-quality ultrathin chemical-vapor-deposited Ta2O5 capacitors prepared by high-density plasma annealing

Beteiligte:

Liu, C. H. ( Autor:in ) / Chang, S. J. ( Autor:in ) / Chen, J. F. ( Autor:in ) / Chen, S. C. ( Autor:in ) / Lee, J. S. ( Autor:in ) / Liaw, U. H. ( Autor:in )

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 106 ; 234-241

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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