Strain relaxation of strained-Si layers on SiGe-on-insulator (SGOI) structures after mesa isolation: Fid-Bau Portal

Strain relaxation of strained-Si layers on SiGe-on-insulator (SGOI) structures after mesa isolation

Usuda, K. / Mizuno, T. / Tezuka, T. / Sugiyama, N. / Moriyama, Y. / Nakaharai, S. / Takagi, S. i.

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Titel:

Strain relaxation of strained-Si layers on SiGe-on-insulator (SGOI) structures after mesa isolation

Beteiligte:

Usuda, K. (Autor:in) / Mizuno, T. (Autor:in) / Tezuka, T. (Autor:in) / Sugiyama, N. (Autor:in) / Moriyama, Y. (Autor:in) / Nakaharai, S. (Autor:in) / Takagi, S. i. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 224 ; 113-116

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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